| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
B66367-G-X187 |
|
феррит N87ETD49
|
|
|
184.00
|
|
|
|
|
B66367-G-X187 |
|
феррит N87ETD49
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B66367-G-X187 |
|
феррит N87ETD49
|
EPCS
|
|
|
|
|
|
 |
DSEK60-02A |
|
FRED 200V 68A(2x34) 125W 35ns TO247AD
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
DSEK60-02A |
|
FRED 200V 68A(2x34) 125W 35ns TO247AD
|
|
|
845.40
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
|
600
|
172.43
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
ONS
|
560
|
370.48
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
FAIR/ONS
|
136
|
196.31
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 456
|
40.08
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
|
|
58.92
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
60
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
576
|
11.96
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 539
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
480
|
8.40
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1 280
|
48.56
|
|
Версия для печати
