Версия для печати
Технические характеристики DSEK60-02A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 30A
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	34A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Through Hole, Radial
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD

DSEK 60 Common Cathode Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Также в этом файле: DSEK60-02A, DSEK60-02AR Производитель: IXYS Corporation //www.ixys.com DSEK60-02A datasheet 59.31Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49			184.00
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49	EPCOS
		B66367-G-X187		феррит N87ETD49	EPCS
		MCP6001T-I/OT			MICRO CHIP	13 320	27.66
		MCP6001T-I/OT			Microchip Technology
		MCP6001T-I/OT				7 661	21.26
		MCP6001T-I/OT			MICRO CHIP
		MCP6001T-I/OT			FULIHAO TECH	3 360	15.50
		MCP6001T-I/OT			FULIHAO	9 218	7.08
		MCP6001T-I/OT			YOUTAI	6 488	6.73
		MCP6001T-I/OT			4-7 НЕДЕЛЬ	144
		MURS240T3G			ON SEMICONDUCTOR
		MURS240T3G			ONS
		MURS240T3G				1 440
		MURS240T3G			ON SEMICONDUCTO
		MURS240T3G				1 440
		SQP-10W56R (10ВТ,56 ,5%)
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		576	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 539	16.80
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	480	8.40
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	11.34
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	1 280	48.56

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"