|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
|
|
170.24
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
649
|
|
|
|
|
MCP6001T-I/OT |
|
|
MICRO CHIP
|
19 421
|
28.68
|
|
|
|
MCP6001T-I/OT |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6001T-I/OT |
|
|
|
7 661
|
21.38
|
|
|
|
MCP6001T-I/OT |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6001T-I/OT |
|
|
FULIHAO TECH
|
3 360
|
16.53
|
|
|
|
MCP6001T-I/OT |
|
|
FULIHAO
|
9 420
|
9.78
|
|
|
|
MCP6001T-I/OT |
|
|
YOUTAI
|
11 227
|
6.22
|
|
|
|
MCP6001T-I/OT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
505
|
|
|
|
|
MURS240T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MURS240T3G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MURS240T3G |
|
|
|
1 440
|
|
|
|
|
MURS240T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MURS240T3G |
|
|
|
1 440
|
|
|
|
|
SS49E |
|
Датчик Холла биполярный TO92,-1000…1000 Гс, 3 µs, 1.0…1.75 мВ/Гс, ±0.05 %/°С.
|
|
|
204.00
|
|
|
|
SS49E |
|
Датчик Холла биполярный TO92,-1000…1000 Гс, 3 µs, 1.0…1.75 мВ/Гс, ±0.05 %/°С.
|
HONEY
|
|
|
|
|
|
SS49E |
|
Датчик Холла биполярный TO92,-1000…1000 Гс, 3 µs, 1.0…1.75 мВ/Гс, ±0.05 %/°С.
|
HONEYWELL
|
1 783
|
55.68
|
|
|
|
SS49E |
|
Датчик Холла биполярный TO92,-1000…1000 Гс, 3 µs, 1.0…1.75 мВ/Гс, ±0.05 %/°С.
|
Honeywell Sensing and Control
|
|
|
|
|
|
SS49E |
|
Датчик Холла биполярный TO92,-1000…1000 Гс, 3 µs, 1.0…1.75 мВ/Гс, ±0.05 %/°С.
|
HNWL
|
|
|
|
|
|
SS49E |
|
Датчик Холла биполярный TO92,-1000…1000 Гс, 3 µs, 1.0…1.75 мВ/Гс, ±0.05 %/°С.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
52
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
576
|
11.96
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 539
|
16.80
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
520
|
8.40
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.21
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1 920
|
48.56
|
|