Версия для печати
Технические характеристики B66367-G-X187

Компонент набора	феррит
Тип	ETD49
Материал магнитопровода	N87
Индуктивность одного витка, нГн	3800
Начальная магнитная проницаемость	2200
Верхняя рабочая частота материала магнитопровода, кГц	500
Форма магнитопровода	Ш-образный

КАТАЛОГ

 » 

ЭЛЕКТРОУСТАНОВОЧНЫЕ ИЗДЕЛИЯ

 » 

ФЕРРИТЫ И АКСЕССУАРЫ

Синонимы от поставщиков: B66367-G-X187 ; B66367-G-X187 ; B66367 G-X187 ; B66367 — G-X187 ; B66367G-X187 ; B66367-G ; B66367 G ; B66367 — G ; B66367G ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	VISHAY
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт		11	462.50
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	Vishay/Siliconix
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	КИТАЙ
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERSIL
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	1
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	DC COMPONENTS	137	191.66
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WTE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V		3	218.30
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MIC	387	72.21
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YJ	15 966	70.84
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WUXI XUYANG	2 030	90.54
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE	1 680	72.60
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KLS	3 760	113.65
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	SEP	13	60.75
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	HOTTECH
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGZHOU YANGJIE
		ВИЛКА 2Р+Е ПРЯМАЯ БЕЛ. 16А/250В MAKEL					201.60
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		560	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 539	16.80
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	320	8.40
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	11.34
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	1 120	48.56
		С2-23-0,25 15ОМ 5%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"