Версия для печати
Технические характеристики B66367-G-X187

Компонент набора	феррит
Тип	ETD49
Материал магнитопровода	N87
Индуктивность одного витка, нГн	3800
Начальная магнитная проницаемость	2200
Верхняя рабочая частота материала магнитопровода, кГц	500
Форма магнитопровода	Ш-образный

КАТАЛОГ

 » 

ЭЛЕКТРОУСТАНОВОЧНЫЕ ИЗДЕЛИЯ

 » 

ФЕРРИТЫ И АКСЕССУАРЫ

Синонимы от поставщиков: B66367-G-X187 ; B66367-G-X187 ; B66367 G-X187 ; B66367 — G-X187 ; B66367G-X187 ; B66367-G ; B66367 G ; B66367 — G ; B66367G ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	VISHAY
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт		11	351.50
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	Vishay/Siliconix
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	КИТАЙ
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERSIL
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	1
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	DC COMPONENTS	111	92.02
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WTE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V		3	218.30
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MIC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YJ	14 286	60.80
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WUXI XUYANG	1 258	61.10
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE	11 120	68.88
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KLS	3 680	87.82
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	SEP
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	HOTTECH
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGZHOU YANGJIE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	RUICHI
		SQP-10W56R (10ВТ,56 ,5%)
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		427	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 152	16.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 960	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000
		С2-23-0,25 15ОМ 5%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"