| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
|
1 087
|
296.00
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
MICRO CHIP
|
800
|
320.29
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 8KB (8K x 8), EEPROM 512 x 8, SRAM ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
466
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
4
|
26.45
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
|
107.60
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
3 896
|
23.05
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
164 897
|
5.55
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
431
|
13.62
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
16.40
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
171
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 272
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
9.23
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-100 ОМ-5% |
|
Резисторы постоянные металлопленочные лакированные теплостойкие, ...
|
|
388
|
15.12
|
|
Версия для печати
