| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А
|
|
17
|
12.60
|
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SN75451BD |
|
Микросхема Peripheral драйвер SO8
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN75451BD |
|
Микросхема Peripheral драйвер SO8
|
|
|
60.00
|
|
|
|
|
SN75451BD |
|
Микросхема Peripheral драйвер SO8
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN75451BD |
|
Микросхема Peripheral драйвер SO8
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN75451BD |
|
Микросхема Peripheral драйвер SO8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
789
|
|
|
|
|
|
ВИНТ М2.0Х 8 (35ШТ.) П/К |
|
|
|
24
|
24.68
|
|
|
|
|
ВИНТ М5.0Х12 (25ШТ.) П/Т |
|
|
|
|
92.84
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
471
|
35.91
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
702
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
