| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
DC COMPONENTS
|
2 132
|
37.04
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
|
|
75.60
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
YJ
|
4 649
|
24.59
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
KOME
|
|
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
SUNTAN
|
36
|
67.78
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
HOTTECH
|
140
|
28.92
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
SEP
|
210
|
27.17
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
KBPC1010 |
|
Диодный мост 10A, 1000V
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
LUKEY-702 |
|
Двухканальная антистатическая паяльная станция, термофен и паяльник с керамическим ...
|
|
|
12 320.00
|
|
|
|
|
LUKEY-702 |
|
Двухканальная антистатическая паяльная станция, термофен и паяльник с керамическим ...
|
LUKEY
|
|
|
|
|
|
|
ВИНТ М2.5Х10 (30ШТ.) П/К |
|
|
|
|
76.80
|
|
|
|
|
ВИНТ М2.5Х10 (30ШТ.) П/К |
|
|
УДАЛЕНО
|
|
|
|
|
|
|
ГАЙКА М3.0 (35ШТ.) |
|
|
|
|
76.00
|
|
|
|
|
ГАЙКА М3.0 (35ШТ.) |
|
|
УДАЛЕНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
609
|
15.46
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
180
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
1 620
|
15.90
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
12.31
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
Версия для печати
