SS26

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SS26 (MIC)	10 986	2.50
SS26	14 976	1.52
SS26 (FAIRCHILD.)	33	3-4 недели Цена по запросу
SS26 (Fairchild Semiconductor)	614	9.39
SS26 (YJ)	201 346	2.29
SS26 (YANGZHOU YANGJIE)	4 169	5.45
SS26 (HOTTECH)	27 128	2.61
SS26 (SEMTECH)	17 480	7.16
SS26 (MDD)	35 996	1.25
SS26 (JSCJ)	29 720	3.01
SS26 (JINGDAO)	66 789	1.82

Ограничительный диод шотки в корпусе для поверхностного монтажа

Низкопрофильный корпус
Идеален для автоматического позиционирования на печатной плате
Защита от перенапряжения
Низкое падение прямого напряжения, низкая потеря мощности
Высокая эффективность
Максимальная температура при пайке на выводах 260°C, в соответствии SL level 1, J-STD-020
Бессвинцовая технология

Версия для печати

Технические характеристики SS26

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	700mV @ 2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	60V
Current - Average Rectified (Io)	2A
Current - Reverse Leakage @ Vr	400µA @ 60V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	SMB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SS26 (Диоды Шоттки)

Ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа

Производитель:
Vishay

SS26 datasheet
347.8 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIR
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	800	6.80
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	10 409	1.63
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD	1 511
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 245
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP	9 632
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	3 040
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MCC
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS SEMIC
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)		16 266	1.96 >100 шт. 0.98
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MICRO COMMERCIA
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	220 434	1.84 >100 шт. 0.92
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHI
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	LRC
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEX-NXP
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PANJIT	32 000
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	KLS	40	1.49
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YOUTAI	5 596	1.86 >100 шт. 0.93
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	48 402	1.04
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YJ	380 479	1.52 >100 шт. 0.76
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YANGJIE	24 000	1.58 >100 шт. 0.79
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MIC	38 400	2.00 >100 шт. 1.00
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NSP	5 273	2.10
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YANGZHOU YANGJIE	18 172	2.98
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	5 607	1.68
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	25 744	1.88
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	120	1.45
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		15 565	1.38 >100 шт. 0.69
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME	3 327	1.31
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	874 751	1.02
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	665 660	1.96 >100 шт. 0.98
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	336	1.46 >100 шт. 0.73
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	123 526	1.30 >100 шт. 0.65
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.38 >100 шт. 0.69
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.36 >100 шт. 0.68
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	139 764	1.46 >100 шт. 0.73
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGZHOU YANGJIE	16 681	1.74
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	40	1.68
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	22 460	2.30
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	9 457	3.70
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		98 256	1.52 >100 шт. 0.76
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	1 522 487	1.17 >500 шт. 0.39
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	65 600	3.10
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.11
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	1 146 831	1.10
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 551	1.68
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	112 096	1.38 >100 шт. 0.69
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	505 422	1.04
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.98 >100 шт. 0.99
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	818 236	1.20 >100 шт. 0.60
KBL04	Диодный мост 4А, 400В, KBL	FAIR
KBL04	Диодный мост 4А, 400В, KBL	DC COMPONENTS
KBL04	Диодный мост 4А, 400В, KBL			64.00
KBL04	Диодный мост 4А, 400В, KBL	FAIRCHILD
KBL04	Диодный мост 4А, 400В, KBL	FAIRCHILD
KBL04	Диодный мост 4А, 400В, KBL	Fairchild Semiconductor
KBL04	Диодный мост 4А, 400В, KBL	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
KBL04	Диодный мост 4А, 400В, KBL	KINGTRONICS
SR860	Диод Шоттки 60В, 8А/150А	DC COMPONENTS	532	39.69
SR860	Диод Шоттки 60В, 8А/150А			44.00
SR860	Диод Шоттки 60В, 8А/150А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SR860	Диод Шоттки 60В, 8А/150А	GALAXY
SR860	Диод Шоттки 60В, 8А/150А	MIC
SR860	Диод Шоттки 60В, 8А/150А	YJ	1 963	5.70
SR860	Диод Шоттки 60В, 8А/150А	GALAXY ME

SS26

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают: