Версия для печати
Технические характеристики IRF7603TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 3.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	520pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус	Micro8™

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HIP4081AIBZ			INTERSIL
		HIP4081AIBZ					712.00
		HIP4081AIBZ			RENESAS
		HIP4081AIBZ			4-7 НЕДЕЛЬ	656
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	136
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	INFINEON	31 333	19.37
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)		6 991	8.32
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	INFINEON
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	HOTTECH	4 800	2.29
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	KLS	294	5.36
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	TR
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	TRR	7 280	6.20
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	TECH PUB	120	7.05
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	150
		IRLML5203TRPBF		P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	33
		RC1206JR-0715R		Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 15	YAGEO
		RC1206JR-0715R		Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 15	YAGEO
		TXB0108PWR				724	34.11
		TXB0108PWR			TEXAS INSTRUMENTS	79	14.80
		TXB0108PWR			TEXAS INSTRUMENTS	432
		TXB0108PWR			TEXAS INSTRUMEN
		TXB0108PWR			TEXAS
		TXB0108PWR			4-7 НЕДЕЛЬ	702
		TXB0108PWR			99
		US1D			DIC
		US1D			SMK	16	3.60
		US1D			GENERAL SEMICONDUCTOR
		US1D			LITE ON OPTOELECTRONICS
		US1D			DC COMPONENTS	7 773	1.57
		US1D			DIOTEC
		US1D			SEMICRON
		US1D				14 000	1.82  >100 шт.   0.91
		US1D			GENERAL SEMICONDUCTOR	4 400
		US1D			LITE ON OPTOELECTRONICS
		US1D			YJ	72 255	1.82  >100 шт.   0.91
		US1D			КИТАЙ
		US1D			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		US1D			HOTTECH	63 619	1.03
		US1D			PANJIT	332	7.18
		US1D			SUNTAN	48	1.64
		US1D			YANGJIE
		US1D			YANGJIE (YJ)
		US1D			ASEMI	80	1.42  >100 шт.   0.71
		US1D			SUNMATE	4 080	1.20  >100 шт.   0.60
		US1D			YANGZHOU YANGJIE
		US1D			KEEN SIDE	3 920	1.18  >100 шт.   0.59
		US1D			MIC
		US1D			293

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"