Версия для печати
Технические характеристики IRLML5203

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

IRLML5203 HEXFETand#174; Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRLML5203 datasheet 139.62Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD7997BRU-0REEL			ANALOG DEVICES
		AD7997BRU-0REEL			ANALOG DEVICES
		AD7997BRU-0REEL			Analog Devices Inc
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	FAIR
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс			8.28
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS	41
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KLS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEENSIDE
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	ASEMI
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEEN SIDE	22 321	1.76  >100 шт.   0.88
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 800	3.15
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	131 644	1.95
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	6 128	4.32
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	56 295	2.06
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 000	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	32 137	5.34
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	26 000	2.29
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...	BOURNS
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...			75.20
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...	ВОURNS
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LTL
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)			140.00
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	1
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	Littelfuse Inc
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	TECH PUB	10 144	4.42
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	MSKSEMI	2 458	3.69

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"