IRLML5203


P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)

Купить IRLML5203 по цене 2.31 руб.  (без НДС 20%)
IRLML5203  Структура: P-FET Макс. рабочее напряжение: 30...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML5203 1 759 2.31 
IRLML5203 (HOTTECH) 45 352 2.19 
IRLML5203 (HUASHUO) 35 684 2.12 
IRLML5203 (YOUTAI) 45 417 1.77 
IRLML5203 (UMW) 12 800 3.10 
IRLML5203 (KUU) 4 002 2.20 
IRLML5203 (PLINGSEMIC) 15 063 1.97 
IRLML5203 (KEEN SIDE) 728 2.26 
IRLML5203TR (TRR) 1 022 5.13 
IRLML5203TR (VBSEMI) 123 5.47 
IRLML5203TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 136 3-4 недели
Цена по запросу
IRLML5203TRPBF (INFINEON) 31 657 19.25 
IRLML5203TRPBF 9 231 8.32 
IRLML5203TRPBF (HOTTECH) 4 800 2.32 
IRLML5203TRPBF (KLS) 325 5.19 
IRLML5203TRPBF (TRR) 8 000 6.20 
IRLML5203TRPBF (TECH PUB) 120 7.05 

Структура: P-FET
Макс. рабочее напряжение: 30 В
Корпус: SOT-23-3
Максимальный ток: 3 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт

Версия для печати

Технические характеристики IRLML5203

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs98 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLML5203

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLML5203 datasheet
139.62Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс     Заказ радиодеталей 8.28 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS 41 цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEENSIDE 218 1.12 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   ASEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEEN SIDE 16 652 1.76 
>100 шт.   0.88 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP 19 673 2.12 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   GENERAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   PANJIT 246 1.44 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   DC COMPONENTS 10 229 1.41 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   DIOTEC 1 324 1.17 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   GALAXY 8 3.14 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FAIRCHILD 104 цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NATIONAL SEMICONDUCTOR 1 920 цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP 2 593 цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   PANJIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   PHILIPS 21 цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)     32 398 1.32 
>100 шт.   0.66 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   HOTTECH 7 248 1.62 
>100 шт.   0.81 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   SEMTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   YANGJIE 36 000 1.08 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   YJ 112 351 1.74 
>100 шт.   0.87 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   JSCJ 29 209 1.28 
>100 шт.   0.64 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   SUNTAN 8 637 1.18 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   XXW 58 697 1.35 
>500 шт.   0.45 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   KEEN SIDE 50 884 1.08 
>100 шт.   0.54 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   14 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   6500 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ELZET 76 800 1.32 
>500 шт.   0.44 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   RUME 48 000 1.47 
>500 шт.   0.49 
BAW56 2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   TRR 67 200 1.06 
>100 шт.   0.53 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET     Заказ радиодеталей 13.24 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   SHIKUES Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   HOTTECH 206 459 2.13 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   KLS 938 4.67 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   SUNTAN 56 169 3.28 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   KEENSIDE Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   KEEN SIDE 4 472 2.26 
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   5830 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2803 Транзистор полевой N-канальный MOSFET   RUME 16 800 3.26 
    RC0805JR-072K7 Резистор SMD 0805 2.7кОм 0.125Вт 5%   SKYWELL TECHNOLOGY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805JR-072K7 Резистор SMD 0805 2.7кОм 0.125Вт 5%   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805JR-072K7 Резистор SMD 0805 2.7кОм 0.125Вт 5%   SKYWELL TECHNOLOGY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805JR-072K7 Резистор SMD 0805 2.7кОм 0.125Вт 5%   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LTL Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)     Заказ радиодеталей 140.00 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE 1 цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   Littelfuse Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   TECH PUB 8 843 4.93 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   MSKSEMI 2 184 3.15 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход