IRLML5203


P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)

Купить IRLML5203 по цене 2.10 руб.  (без НДС 20%)
IRLML5203 Структура: P-FET Макс. рабочее напряжение: 30...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML5203 1 520 2.10 
IRLML5203 (HOTTECH) 30 460 2.26 
IRLML5203 (HUASHUO) 25 604 2.20 
IRLML5203 (YOUTAI) 41 304 1.72 
IRLML5203 (UMW) 12 800 3.10 
IRLML5203 (KUU) 4 002 2.03 
IRLML5203 (PLINGSEMIC) 16 554 2.03 
IRLML5203 (KEEN SIDE) 484 2.32 
IRLML5203TR (INFINEON) 1 22.67 
IRLML5203TR (TRR) 820 8.40 
IRLML5203TR (VBSEMI) 19 9.36 
IRLML5203TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 136 3-4 недели
Цена по запросу
IRLML5203TRPBF (INFINEON) 31 333 19.52 
IRLML5203TRPBF 6 991 9.55 
IRLML5203TRPBF (HOTTECH) 4 800 2.32 
IRLML5203TRPBF (KLS) 379 5.36 
IRLML5203TRPBF (TRR) 7 200 6.20 
IRLML5203TRPBF (TECH PUB) 120 7.05 

Структура: P-FET
Макс. рабочее напряжение: 30 В
Корпус: SOT-23-3
Максимальный ток: 3 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
Версия для печати

Технические характеристики IRLML5203

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs98 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLML5203

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLML5203 datasheet
139.62Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    AD7997BRU-0REEL     ANALOG DEVICES Заказ радиодеталей цена радиодетали
    AD7997BRU-0REEL     ANALOG DEVICES Заказ радиодеталей цена радиодетали
    AD7997BRU-0REEL     Analog Devices Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс     Заказ радиодеталей 8.28 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS 41 цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEENSIDE Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   ASEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEEN SIDE 11 200 1.82 
>100 шт.   0.91 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А     40 600 2.92 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HOTTECH 300 750 2.58 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HUASHUO 13 074 8.02 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   YOUTAI Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   UMW 40 3.10 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   SUNTAN 20 106 5.15 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KEEN SIDE 8 892 2.15 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   2386 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KEXIN 7 200 2.81 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   RUME 91 200 3.16 
  RLB0914-470KL Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  RLB0914-470KL Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...     Заказ радиодеталей 75.20 
  RLB0914-470KL Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...   ВОURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LTL Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)     Заказ радиодеталей 140.00 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE 1 цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   Littelfuse Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   TECH PUB 4 497 8.56 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   MSKSEMI 6 721 5.84 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход