Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	TO-262-3

IRFZ48N (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com IRFZ48 datasheet 68.45Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП741А

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296W-1-332		Подстроечный резистор 3,3K	BARONS
		3296W-1-332		Подстроечный резистор 3,3K			39.20
		3296W-1-332		Подстроечный резистор 3,3K	Bourns Inc
		3296W-1-332		Подстроечный резистор 3,3K	КИТАЙ
		3296W-1-332		Подстроечный резистор 3,3K	BAOTER
		BD680		Транзистор биполярный DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. ...	ST MICROELECTRONICS
		BD680		Транзистор биполярный DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. ...
		BD680		Транзистор биполярный DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. ...	ON SEMICONDUCTOR
		BD680		Транзистор биполярный DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. ...	ON SEMICONDUCTOR
		BD680		Транзистор биполярный DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. ...	STMicroelectronics
		BD680		Транзистор биполярный DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. ...	ST1
		BD680		Транзистор биполярный DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. ...
		BD680		Транзистор биполярный DARL PNP 80V,4A, SOT-32,2.5V @ 30mA, 1.5A,50, Тип монт. ...	MULTICOMP
		IRF1404		Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF1404		Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W			182.28
		IRF1404		Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W	ТАИЛАНД
		IRF1404		Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W	INFINEON
		IRF1404		Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W	INTERNATIONAL RECTIFIER	28
		IRF1404		Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W	1
		IRF1404		Транзистор полевой N-MOS 40V, 162A, 200W	YOUTAI	372	59.53
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 116.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	97	1 357.80
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"