| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
|
|
25.08
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
 |
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
309
|
98.28
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
|
11 920
|
1.80
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
КИТАЙ
|
266
|
11.34
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YJ
|
1 360
|
3.10
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
MIC
|
17 074
|
2.01
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY ME
|
1 445
|
4.28
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE
|
3 600
|
3.33
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
|
3 452
|
9.25
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
826
|
12.47
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
БРЯНСК
|
3 650
|
2.10
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ209Б |
|
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
527
|
4.60
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
89
|
1 050.84
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
|
264.00
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
163
|
1 533.00
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
3
|
378.00
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
