Версия для печати
Технические характеристики OPA27GPG4

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	8 V ~ 44 V, ±4 V ~ 22 V
Ток выходной / канал	25mA
Ток выходной	3.3mA
Напряжение входного смещения	25µV
Ток - входного смещения	15nA
Полоса пропускания	8MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	1.9 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		16	45.36
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	105	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	919	10.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	6 212	6.04
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.58
		BZX84-C6V2			NXP
		BZX84-C6V2			PHILIPS
		BZX84-C6V2			MCC
		BZX84-C6V2			NXP	11 014
		BZX84-C6V2			PHILIPS	676
		BZX84-C6V2			NEXPERIA	51
		LM386M		Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM386M		Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом	UTC
		LM386M		Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом			28.40
		LM386M		Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом	4-7 НЕДЕЛЬ	463
		LM4752T			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM4752T					195.00
		LM4752T			NSC
		LM4752T			МАЛАЙЗИЯ
		LM4752T			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM4752T			4-7 НЕДЕЛЬ	41
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	HTC KOREA SEMICONDUCTORS
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A		14 421	4.18
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	ПЛАНЕТА
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	HTC KOREA SEMICONDUCTORS
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	HOTTECH	25 727	1.31
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	HTC
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	ZH	31 200	1.47
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	UMW-YOUTAI
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	YOUTAI	1 481	1.45
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	UMV	1 584	2.68
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	4-7 НЕДЕЛЬ	660

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"