|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |  |  | AT93C46DN-SH-T |   | EEPROM ser 2,7..5,5V 128x8/64x16 | ATMEL |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | AT93C46DN-SH-T |   | EEPROM ser 2,7..5,5V 128x8/64x16 |  | 7 255 | 24.05 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | AT93C46DN-SH-T |   | EEPROM ser 2,7..5,5V 128x8/64x16 | ATMEL CORPORATION | 1 384 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | AT93C46DN-SH-T |   | EEPROM ser 2,7..5,5V 128x8/64x16 | MICRO CHIP | 1 840 | 21.70 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | AT93C46DN-SH-T |   | EEPROM ser 2,7..5,5V 128x8/64x16 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 597 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | PHILIPS | 800 | 6.80 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | DC COMPONENTS | 10 275 | 1.42 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | FAIRCHILD | 1 511 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 1 245 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | NXP | 9 632 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | PHILIPS | 3 040 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | MCC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | Fairchild Semiconductor |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | INFINEON TECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | PHILIPS SEMIC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | DIOTEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) |  | 39 466 | 1.64 >100 шт.   0.82
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | MICRO COMMERCIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | FAIRCHILD SEMICONDUCTORS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | ONS-FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | HOTTECH | 131 737 | 1.82 >100 шт.   0.91
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | PHI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | NEX-NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | PANJIT | 32 000 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | KLS | 34 | 1.47 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | YOUTAI | 5 345 | 1.50 >100 шт.   0.75
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | JSCJ | 31 626 | 1.48 >100 шт.   0.74
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | YJ | 376 282 | 1.12 >100 шт.   0.56
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | YANGJIE | 24 000 | 1.46 >100 шт.   0.73
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | MIC | 38 400 | 1.01 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | NSP | 5 273 | 2.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | YANGZHOU YANGJIE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS21 |   | Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C) | KEEN SIDE | 30 760 | 1.52 >100 шт.   0.76
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NXP | 5 607 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | DC COMPONENTS | 15 949 | 1.29 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | DIOTEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 185 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ST MICROELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | SEMTECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) |  | 15 565 | 1.38 >100 шт.   0.69
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NXP | 1 100 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | DIODES INCORPORATED |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ONSEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | HOTTECH | 495 723 | 1.68 >100 шт.   0.84
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | SUNTAN |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | YJ | 578 768 | 1.64 >100 шт.   0.82
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | CJ | 296 | 1.52 >100 шт.   0.76
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | JSCJ | 97 312 | 1.28 >100 шт.   0.64
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | YANGJIE | 7 200 | 1.38 >100 шт.   0.69
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | JINGDAO | 166 895 | 1.42 >100 шт.   0.71
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | TWGMC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | MDD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | PLINGSEMIC | 141 308 | 1.44 >100 шт.   0.72
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | YANGZHOU YANGJIE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | SLKOR | 120 | 1.50 >500 шт.   0.50
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV70 |   | 2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | KEEN SIDE | 149 777 | 1.06 >100 шт.   0.53
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIOTEC | 222 824 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DC COMPONENTS | 107 294 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | MCC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | UTC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) |  | 58 071 | 1.34 >100 шт.   0.67
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIRCHILD | 325 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | LI-SION TECHNOLOGY INC. |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP | 4 345 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIOTEC SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FSC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ONS-FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PANJIT | 27 200 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIRCHILD | 3 467 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | INFINEON | 800 | 4.91 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | HOTTECH | 495 978 | 1.68 >100 шт.   0.84
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ARK |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | АЛЕКСАНДРОВ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KLS | 568 | 1.88 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NEXPERIA | 333 826 | 1.17 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SEMTECH | 336 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PJ | 6 378 | 1.20 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGJIE | 2 039 949 | 1.50 >500 шт.   0.50
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YJ | 1 484 974 | 1.52 >100 шт.   0.76
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | JSCJ | 221 348 | 1.62 >100 шт.   0.81
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP/NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | TRR | 67 200 | 1.03 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SUNTAN | 113 388 | 1.58 >100 шт.   0.79
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | JINGDAO | 18 144 | 1.30 >100 шт.   0.65
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | TRR ELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | HOTTECCN | 1 710 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | CJ | 8 000 | 5.12 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGZHOU YANGJIE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KEEN SIDE | 239 470 | 1.32 >500 шт.   0.44
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | NXP | 1 639 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | DC COMPONENTS | 3 683 | 1.51 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | MCC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | DIOTEC | 3 024 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | INFINEON | 240 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | NXP | 1 212 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PHILIPS | 976 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | МАЛАЙЗИЯ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | INFINEON TECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | DI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | KINGTRON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц |  | 31 452 | 1.52 >100 шт.   0.76
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | KEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | HOTTECH | 770 874 | 1.17 >500 шт.   0.39
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PH / NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | NEX-NXP | 60 000 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | SEMTECH | 3 026 | 1.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | YJ | 658 232 | 1.62 >100 шт.   0.81
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | PH/NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | CTK | 2 489 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | RUME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | OLITECH ELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | SUNTAN | 55 176 | 1.04 >100 шт.   0.52
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | 1 |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | NEXPERIA | 495 182 | 1.04 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO | 16 | 1.94 >100 шт.   0.97
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | XXW | 561 197 | 1.18 >100 шт.   0.59
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | KEEN SIDE | 2 976 | 1.35 >500 шт.   0.45
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC847C |   | Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц | MERRYELC | 103 744 | 1.08 >100 шт.   0.54
 |  |