Версия для печати
Технические характеристики P6SMBJ6.5CA

Reverse Recovery Time (trr)	Рабочее напряжение:
Lumens/Watt @ Current - Test	Ток потребления при рабочем напряжении:
Divider	Минимальное напряжение ограничения:
Line Regulation	Максимальное напряжение ограничения:
Magnification Range	Максимальное импульсное напряжение:
Main Purpose	Максимальный импульсный ток:
Supply Current	Симметрия ВАХ:
Constant Current Load - Max	Тип корпуса:

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	VISHAY
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	FAIR
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	ISOCOM
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Q TECH
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	QT OPTOELECTRONICS
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	FAIRCHILD	1	42.40
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	FAIRCHILD
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	ISOCOM
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Q TECH INC.
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	QT OPTOELECTRONICS	20
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Lite-On Inc
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Vishay/Semiconductors
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	Avago Technologies US Inc
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	ISOCOM COMPONENTS
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	MOTOROLA
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	MOT
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%		2	26.46
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	QTC	10	42.40
		CNY17-1		Опто транзистор 1 канал Iпр макс=90 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 40-80%	2
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	VISHAY
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ONS	7 840	12.40
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)		80	37.00
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	2 835
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	ONSEMI
		MBRS3100T3G		Диод Шоттки smd (U=100V, I=3A, Vf=0.79V@3A, -60 to +150C)	TOKMAS	13 608	4.44
		MURS160			VISHAY
		MURS160				18 000	2.61
		MURS160			EIC
		MURS160			GALAXY	12 918	5.01
		MURS160			КИТАЙ
		MURS160			LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	9 000
		MURS160			GALAXY ME
		MURS160			HOTTECH	45 420	4.49
		MURS160			KLS
		MURS160			LGE
		MURS160			JANGJIE
		MURS160			YJ	15 316	3.26
		MURS160			SUNTAN	2 295	2.14
		MURS160			KEXIN	2 976	2.85
		MURS160			KEEN SIDE	7 937	2.48
		SM6T200A			ST MICROELECTRONICS	512	6.20
		SM6T200A					26.16
		SM6T200A			ST MICROELECTRONICS SEMI
		SM6T200A			STMicroelectronics
		SM6T200A			STMICROELECTR
		SMDB3			STMicroelectronics
		SMDB3			ST MICROELECTRONICS
		SMDB3					126.00
		SMDB3			ST MICROELECTRONICS SEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"