| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FSC
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FAIRCHILD
|
11
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
HP
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
EVL
|
827
|
23.85
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
|
28
|
75.60
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
266
|
86.67
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
ERL
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
ISO
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
27
|
187.58
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
1 817
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
788
|
246.56
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
368
|
227.30
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 278
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
3 960
|
2.12
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
8
|
2.25
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
57 408
|
1.73
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
421
|
1.55
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
17 291
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
450 316
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
429 847
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.13
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
62
|
4.13
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
39 648
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
58
|
1.02
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
85 267
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
12 392
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 016
|
0.72
>500 шт. 0.24
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
193 392
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOS
|
37 984
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MERRYELC
|
344
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1996
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2300
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2975
|
|
|
|
|
|
MURS160T3 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MURS160T3 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
36.70
|
|
|
|
MURS160T3 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
|
5
|
45.36
|
|
|
|
MURS160T3 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MURS160T3 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М |
|
|
|
|
30.76
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|