BZX384-C5V1.115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BZX384-C5V1.115 (NEX-NXP)	16	4.59

Версия для печати

Технические характеристики BZX384-C5V1.115

Производитель	NXP
Количество в упаковке	3000 шт.
Вес	0.041 г
Voltage - Withstanding	5.1 В
Корпус (размер)	SOD323
	Zener diodes

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 1000/16V 1016 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С
ECAP 1000/16V 1016 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С	JAMICON
ECAP 1000/16V 1016 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С	JAM
ECAP 1000/16V 1016 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С	YAGEO
ECAP 1000/16V 1016 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С	JB
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С	JAMICON
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С	JAM
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С			23.60
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С	YAGEO
ECAP 2200/16V 1321 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С	JB
IRFR5305	Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFR5305	Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		3 640	22.86
IRFR5305	Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
IRFR5305	Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
IRFR5305	Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
IRFR5305	Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR	7 652	15.76
IRFR5305	Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	3 824	32.96
IRFR5305	Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	EVVO	4 695	22.61
LD1117S50CTR		ST MICROELECTRONICS	3 914	11.53
LD1117S50CTR			2 150	10.90
LD1117S50CTR		ST MICROELECTRONICS SEMI	81
LD1117S50CTR		STMicroelectronics
LD1117S50CTR		ST MICROELECTRO
LD1117S50CTR		TEXAS INSTRUMENTS	8	7.38
LD1117S50CTR		4-7 НЕДЕЛЬ	725
LD1117S50CTR		10
MC34119D	Маломощный УНЧ	ON SEMICONDUCTOR
MC34119D	Маломощный УНЧ	UTC
MC34119D	Маломощный УНЧ	MITSUBISHI
MC34119D	Маломощный УНЧ	ST MICROELECTRONICS
MC34119D	Маломощный УНЧ	UTRON
MC34119D	Маломощный УНЧ			48.60
MC34119D	Маломощный УНЧ	ИНТЕГРАЛ
MC34119D	Маломощный УНЧ	MOT
MC34119D	Маломощный УНЧ	4-7 НЕДЕЛЬ	752