| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ECAP 1000/16V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С
|
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/16V 1321 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/16V 1321 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/16V 1321 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С
|
|
|
23.60
|
|
|
|
|
ECAP 2200/16V 1321 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/16V 1321 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 2200 мкФ, 16 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
|
9
|
54.18
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
332
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
8 819
|
19.24
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
|
1 760
|
10.80
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
81
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8
|
13.81
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
725
|
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
UTRON
|
|
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
|
|
48.60
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
MOT
|
|
|
|
|
|
|
MC34119D |
|
Маломощный УНЧ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
752
|
|
|
Версия для печати
