| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DS1820 |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
|
|
450.00
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
176
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
|
32
|
42.00
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
США
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
830
|
42.00
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS
|
2 592
|
49.08
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
30
|
42.00
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
YOUTAI
|
60
|
15.56
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
UMW
|
176
|
43.39
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMI
|
16
|
40.62
|
|
|
|
|
PIC10F202-I/MC |
|
512x12 Flash 4I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F202-I/MC |
|
512x12 Flash 4I/O 4MHz
|
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F202-I/MC |
|
512x12 Flash 4I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F202-I/MC |
|
512x12 Flash 4I/O 4MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
572
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
|
|
211.60
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
49
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
3 152
|
15.12
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
515
|
12.47
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
