WJ102-H-1C-12VDC

Версия для печати

Технические характеристики WJ102-H-1C-12VDC

Производитель	Wenzhou Wanjia Electric Equipment Co. Ltd
Тип реле	Силовое
Управляющее напряжение	12 В
Мощность катушки	0.36 Вт
Рабочая температура	-30...60 °C
Тип контактов	1C
Нагрузка по постоянному току	1A/24VDC
Нагрузка по переменному току	1A/120VAC
Напряжение изоляции катушка-контакты	500 В
Тип выводов	в отверстия
Герметичность корпуса (степень защиты от флюса)	брызгозащищенное
Размер	10.5x15.5x11.5 мм
Объём	1.872 см3
Площадь	1.628 см2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0.5ГДШ-15 8 ОМ				150.00
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	OSRAM OPTO
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт		800	58.99
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	VISHAY	1 748	64.32
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	Vishay/Semiconductors
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KB	32 089	12.34
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KINGBRIGHT	299	4.30
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт			9.52
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	KGB	20 722	13.73
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	КИТАЙ
L-34F3C	Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт	UNKNOWN
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRONICS
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	SGS
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8		4	75.60
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	UTC
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	SGS THOMSON
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRONICS SEMI
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	STMicroelectronics
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST1
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRO
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	1
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	678
КДФ101А	Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...		1 564	13.23
КДФ101А	Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...	ОРЕЛ	1 963	6.30
КДФ101А	Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...	ОРЁЛ