| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
|
7
|
37.80
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
США
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
NXP/NEXPERIA
|
1
|
30.64
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
179
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 200
|
1.70
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
2 377
|
1.55
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
1 524
|
2.76
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
21 604
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
538 456
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
87 193
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
19 458
|
1.03
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
151 200
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
166 895
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
30 140
|
1.26
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PLINGSEMIC
|
120 870
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
138
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
253
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
RUME
|
153 600
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
NXP
|
80
|
30.01
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
|
|
22.80
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
317
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
|
535
|
16.40
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
НИИПП ТОМСК
|
40
|
97.00
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
РОССИЯ
|
44
|
2.46
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
158
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
157
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
57
|
|
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
|
1 556
|
14.84
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
ОРЕЛ
|
1 963
|
6.36
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
ОРЁЛ
|
|
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
1016
|
|
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
1438
|
|
|
|