| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
|
7
|
37.80
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
США
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
NXP/NEXPERIA
|
1
|
34.83
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
|
|
|
|
|
|
|
74HC574N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
179
|
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
NXP
|
80
|
29.04
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
|
|
22.80
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
HEF4027BP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
317
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KINGBRIGHT
|
296
|
4.28
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
|
|
9.52
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KGB
|
14 541
|
10.51
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
|
4 927
|
3.70
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
НИИПП ТОМСК
|
40
|
96.00
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
РОССИЯ
|
126
|
3.63
|
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
|
1 564
|
13.23
|
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
ОРЕЛ
|
1 963
|
6.30
|
|
|
|
|
КДФ101А |
|
Фотодиод структуры р-n в пластмассовом корпусе полуцилиндрической формы с жесткими ...
|
ОРЁЛ
|
|
|
|
Версия для печати
