Версия для печати
Технические характеристики BFC237353105

Производитель	VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	400 В
Номинальное переменное напряжение	220 В
Диэлектрик	Polyester
Номинальное напряжение	400 В
Размер	26.0x10.0x19.5
Шаг выводов	22.5
Рабочая температура	-55...105 °C
	DC Film Capacitors MKT Radial Potted Type
Емкость	1 мкФ
Серия	MKT 373
Корпус (размер)	PIN
Тип монтажа	Выводной
Тип	Пленочный
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - AC	220V
Voltage - DC	400V
Dielectric Material	Polyester, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-55°C ~ 105°C
Size / Dimension	1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm)
Высота	0.768" (19.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.886" (22.50mm)
Возможности	General Purpose

Пленочный конденсатор 1 мкФ, 400 В, 105С, 20% BFC237353105 datasheet 200,87kB 19стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	11 217	8.06
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 200	3.75
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	71 612	0.55  >1000 шт.   0.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.72  >100 шт.   0.86
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	712	1.38  >100 шт.   0.69
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	40	1.82  >100 шт.   0.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	23 200	1.34  >100 шт.   0.67
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.34  >100 шт.   0.67
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	4 591	6.67
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		1 165	2.96
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	43 375	4.31
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 360	8.27
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	291	4.33
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	72 376	2.80
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 280	4.47
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	2.96
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	10.57
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	22 255	1.91
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	7 600	1.88
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	45 600	2.03
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	35 496	2.10
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.35
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	416	2.61
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		IXDD614CI			Clare
		IXDD614CI			IXYS
		IXDD614CI
		IXDD614CI			4-7 НЕДЕЛЬ	293
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	TEXAS INSTRUMENTS	3 700	6.12
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns		7 200	4.49
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	Rohm Semiconductor
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	TEXAS INSTRUMENTS	256
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	TEXAS
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	TEXAS INSTRUMEN
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	TEXASINSTRUMENTS
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	YOUTAI	9 527	6.14
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	UMW	1 200	6.20
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	UMW-YOUTAI
		LM2903DR		Сдвоенный компаратор 36V 300ns	4-7 НЕДЕЛЬ	226
		PIC10F222T-I/OT		512x12 Flash 4I/O 8MHz	MICRO CHIP
		PIC10F222T-I/OT		512x12 Flash 4I/O 8MHz	Microchip Technology
		PIC10F222T-I/OT		512x12 Flash 4I/O 8MHz		6 229	83.25
		PIC10F222T-I/OT		512x12 Flash 4I/O 8MHz	MICRO CHIP	134
		PIC10F222T-I/OT		512x12 Flash 4I/O 8MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	735

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"