|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
72 084
|
1.48
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
LIJIE ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MIC
|
7 491
|
2.25
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
266
|
4.91
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
|
4 470
|
1.41
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
KINGTRONICS
|
18 204
|
2.10
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YJ
|
1 440
|
2.07
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
LIJIE EL
|
1
|
1.58
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
1 662
|
3.47
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
MIG
|
3 200
|
2.10
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
2 455
|
3.29
|
|
|
|
1N4937 |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
10 268
|
4.68
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
5 898
|
8.42
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
5 600
|
1.22
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
399
|
1.74
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.18
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
KSE340S |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KSE340S |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KSE340S |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KSE340S |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
KSE340S |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13009G |
|
Транзистор биполярный
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13009G |
|
Транзистор биполярный
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13009G |
|
Транзистор биполярный
|
|
|
129.20
|
|
|
|
MJE13009G |
|
Транзистор биполярный
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MO-50 (С2-23) 0.5 ВТ, 20 ОМ, 5% |
|
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|