Версия для печати
Технические характеристики 06031A220JAT2A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Емкость	22pF
Номинальное напряжение	100V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Температурный коэфициент	C0G, NP0
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)
Size / Dimension	0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm)
Thickness	0.035" (0.90mm)
Тип	Керамический
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST MICROELECTRONICS	297	33.76
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz			10.00
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	STMICROELECTRONICS
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ON Semiconductor
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST1
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST MICROELECTRO
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	NXP
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	JSCJ	10 471	8.88
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		1 324	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 804	20.76
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	948	10.43
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	9 984	8.03
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W		24	65.32
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
		К73-17-100-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В			9.28
		К73-17-100-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В	SUNTAN
		К73-17-100-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В	КИТАЙ
		К73-17-100-0.47 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.47 мкФ 100 В			14.00
		К73-17-100-0.47 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.47 мкФ 100 В	SUNTAN
		К73-17-100-0.47 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.47 мкФ 100 В	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"