Версия для печати
Технические характеристики 06031A220JAT2A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Емкость	22pF
Номинальное напряжение	100V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Температурный коэфициент	C0G, NP0
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)
Size / Dimension	0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm)
Thickness	0.035" (0.90mm)
Тип	Керамический
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	17 475	3.60
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 294	4.15
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		17 368	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	232	1.42  >100 шт.   0.71
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	4 084	1.08
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE	1 363	1.76  >100 шт.   0.88
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC	2 056	1.31
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME	480	1.58  >100 шт.   0.79
		GRM2165C2A471JA01D		Керамический конденсатор 470 пФ 100 В	MURATA
		GRM2165C2A471JA01D		Керамический конденсатор 470 пФ 100 В	Murata Electronics North America
		GRM2165C2A471JA01D		Керамический конденсатор 470 пФ 100 В	MUR	2 540	1.76
		GRM2165C2A471JA01D		Керамический конденсатор 470 пФ 100 В	MURATA
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	FAIR
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	Fairchild Semiconductor
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	FAIRCHILD
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	ON SEMI/FAIRCH
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	ONSEMICONDUCTOR
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	FAIR
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	ONS
		RC0805FR-0737K4L			YAGEO	214 713	0.60  >1000 шт.   0.12
		RC0805FR-0737K4L

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"