Версия для печати
Технические характеристики BD912

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 5A, 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	90W
Frequency - Transition	3MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

BD909 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD912 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD912 datasheet 99.77Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6133
		2N6489
		2N6490
		2N6490			ON Semiconductor
		2N6491		Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150	ON SEMICONDUCTOR
		2N6491		Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150	ONS
		2N6491		Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
		2N6491		Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150	ON SEMICONDUCTOR	9 984
		2SB826		Транзистор S-P 60В 12A 10МГц TO220	SANYO
		2SB826		Транзистор S-P 60В 12A 10МГц TO220
		2SB826		Транзистор S-P 60В 12A 10МГц TO220	SAN
		2SB826		Транзистор S-P 60В 12A 10МГц TO220
		BD534			ST MICROELECTRONICS
		BD534			STMicroelectronics
		BD908			PMC
		BD908					64.00
		BD910			ST MICROELECTRONICS
		BD910			ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD910
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRONICS	639	65.05
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...			63.88
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMicroelectronics
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ТАИЛАНД
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST1
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRO
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMICROELECTR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	PEACOCK	4	12.72

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		20-4
		20-4
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SANYO
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz			28.76
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SAN
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	КИТАЙ
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	ISCSEMI
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRONICS	536	103.53
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)		4	75.60
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	STMicroelectronics
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRO
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	STMICROELECTR
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	1
		HEF4093BP		Quad 2Inp NAND S/T	PHILIPS
		HEF4093BP		Quad 2Inp NAND S/T	NXP
		HEF4093BP		Quad 2Inp NAND S/T			50.64
		HEF4093BP		Quad 2Inp NAND S/T	NEX
		HEF4093BP		Quad 2Inp NAND S/T	4-7 НЕДЕЛЬ	456
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS INSTRUMENTS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	PHILIPS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	SGS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	MOTOROLA
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	SIGNETICS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ST MICROELECTRONICS	400	28.35
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	UTC
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	FAIRCHILD
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	FAIRCHILD	4
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	MOTOROLA	10
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ON SEMICONDUCTOR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	PHILIPS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	SGS THOMSON
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	STMICROELECTRONICS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS INSTRUMENTS	22
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ST MICROELECTR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS INSTR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	КИТАЙ
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS	1 446	29.84
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ST MICROELECTRO
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS INSTRUMEN
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	STMICROELECTR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс		4	19.00
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ON SEMICONDUCTOR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	HGSEMI	2 182	6.67
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	4-7 НЕДЕЛЬ	585

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"