SY025M0220B3F-0811

Версия для печати

Технические характеристики SY025M0220B3F-0811

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	25 В
Емкость	220 мкФ
Ток утечки	55 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.14
Эквивалентное последовательное сопротивление	130 мОм
Максимальный ток пульсаций	0.64 А
Шаг выводов	3.5 мм
Срок службы	6000 Ч
Размер корпуса	ф 8x11
Рабочая температура	-40...105 °C
	Very low impedance and ESR, miniature aluminu
Серия	SY
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS	SANYO	24	348.02
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS		1	1 045.80
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS	SAN
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS	PMC
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS	КИТАЙ
HIS0169C	SMPS упpавление SMR 40200 C	SAMSUNG	1	217.80
HIS0169C	SMPS упpавление SMR 40200 C	SAM
HIS0169C	SMPS упpавление SMR 40200 C		1	396.90
HIS0169C	SMPS упpавление SMR 40200 C	США
HIS0169C	SMPS упpавление SMR 40200 C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
HIS0169C	SMPS упpавление SMR 40200 C	SEC
HIS0169C	SMPS упpавление SMR 40200 C	1
HIS0169C	SMPS упpавление SMR 40200 C	4-7 НЕДЕЛЬ	372
SJ-B, 20DB , VERTICAL MOUNT		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SMR40200C IC	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	SANKEN
SMR40200C IC	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	СИНГАПУР
SMR40200C IC	SMPS с полевым высоковольтным транзистором
SMR40200C IC	SMPS с полевым высоковольтным транзистором	4-7 НЕДЕЛЬ	480
ПРИПОЙ ПОС-61 ПРВ 1.0 КАТУШКА 100ГР
ПРИПОЙ ПОС-61 ПРВ 1.0 КАТУШКА 100ГР		ПМП