2SK3569
N-MOS 600V, 10A, 45W
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220 (SIS) |
| Корпус | TO-220SIS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SK3569 Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 150МКФ 250 (34Х80,5%) |
|
|
||||||
 |
 |
BFG540,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BFG540,215 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BFG540,215 |
|
|
|
|||
| SY025M0220B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| SY025M0220B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В |
|
|
||||
| TEA1552T | PHILIPS |
|
|
|||||
| TEA1552T | PHILIPS | 1 |
|
|||||
| TEA1552T | NXP |
|
|
|||||
| TEA1552T |
|
|
