2SK3569

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK3569	1	476.28

Версия для печати

Технические характеристики 2SK3569

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220 (SIS)
Корпус	TO-220SIS

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK3569

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK3569 datasheet
153.17Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK3568	N-MOS 500V, 12A, 40W	TOSHIBA
2SK3568	N-MOS 500V, 12A, 40W			220.00
2SK3568	N-MOS 500V, 12A, 40W	TOS
ECAP 22/400V 1320 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 400 В	JAMICON
ECAP 22/400V 1320 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 400 В			60.00
ECAP 22/400V 1320 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 400 В	JAM
SM8002C			7	113.40
SM8002C		FAIRTEK
SM8002C			7	113.40
SM8002C		1
STTH8R06FP	Диод 600V, 8A, 25nS (Ultrafast)	ST MICROELECTRONICS
STTH8R06FP	Диод 600V, 8A, 25nS (Ultrafast)			218.52
STTH8R06FP	Диод 600V, 8A, 25nS (Ultrafast)	ST MICROELECTRONICS SEMI
STTH8R06FP	Диод 600V, 8A, 25nS (Ultrafast)	STMicroelectronics
STTH8R06FP	Диод 600V, 8A, 25nS (Ultrafast)	ST1
TEA1552T		PHILIPS
TEA1552T		PHILIPS	1
TEA1552T		NXP
TEA1552T
TEA1552T		4-7 НЕДЕЛЬ	588