2SK3569

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK3569	1	476.28

Версия для печати

Технические характеристики 2SK3569

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220 (SIS)
Корпус	TO-220SIS

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK3569

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK3569 datasheet
153.17Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS	SANYO	20	70.31
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS		1	1 045.80
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS	SAN
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS	PMC
2SC5388	NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS	КИТАЙ
L6562AD		ST MICROELECTRONICS
L6562AD		STMicroelectronics
L6562AD		SGS THOMSON	264
L6562AD		ST1
L6562AD		STMICROELECTR
L6562AD
MBR60L45WTG		ONS
MBR60L45WTG		ON Semiconductor
MBR60L45WTG
TDA8357J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=2A)	PHILIPS
TDA8357J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=2A)	NXP
TDA8357J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=2A)			145.00
TDA8357J	TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=2A)	4-7 НЕДЕЛЬ	664
TEA1552T		PHILIPS
TEA1552T		PHILIPS	1
TEA1552T		NXP
TEA1552T
TEA1552T		4-7 НЕДЕЛЬ	588