| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NXP
|
4 236
|
16.80
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
|
8
|
22.20
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NXP
|
160
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
PHILIPS
|
35
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
HTC
|
904
|
40.01
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
331
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NXP/NEXPERIA
|
1 206
|
8.88
|
|
|
|
AT28C256-15PC |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT28C256-15PC |
|
|
|
|
|
|
|
|
AT28C256-15PC |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
105
|
|
|
|
|
BH-10 (IDC-10MS) |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
|
49 507
|
3.53
|
|
|
|
BH-10 (IDC-10MS) |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
BM
|
|
|
|
|
|
BH-10 (IDC-10MS) |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
BH-10 (IDC-10MS) |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
NXU
|
58 400
|
7.23
|
|
|
|
BH-10 (IDC-10MS) |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
KLS
|
15 200
|
7.23
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
|
|
230.96
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
321
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
НТЦ
|
|
|
|