|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип | High Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 1 |
| Сопротивление (On-State) | 15 mOhm |
| Ток выходной / канал | 45A |
| Напряжение питания | 5.5 V ~ 36 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Корпус | PowerSO-10 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | FAIR |
|
|
||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) |
|
56.84 | |||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 172 |
|
||
|
|
|
IRFZ24NS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFZ24NS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
128.00 | ||
| IRLR024NTR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLR024NTR | INFINEON |
|
|
|||||
| VND810-E | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| VND810-E |
|
400.00 | ||||||
| VND810-E | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | PERKIN |
|
|
|||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло |
|
533.44 | ||||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | EXCELITAS |
|
|
|||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | КИТАЙ |
|
|