![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 10A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRFZ24NS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
74HC266M |
![]() |
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | FAIR |
![]() |
![]() |
||
![]() |
74HC266M |
![]() |
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) |
![]() |
56.84 | |||
![]() |
74HC266M |
![]() |
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | МАЛАЙЗИЯ |
![]() |
![]() |
||
![]() |
74HC266M |
![]() |
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 172 |
![]() |
||
IRLR024NTR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|||||
IRLR024NTR | INFINEON |
![]() |
![]() |
|||||
VN920SP-E | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|||||
VN920SP-E |
![]() |
520.00 | ||||||
VN920SP-E | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|||||
VND810-E | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|||||
VND810-E |
![]() |
400.00 | ||||||
VND810-E | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|||||
VT53N1 |
![]() |
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | PERKIN |
![]() |
![]() |
|||
VT53N1 |
![]() |
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло |
![]() |
533.44 | ||||
VT53N1 |
![]() |
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | EXCELITAS |
![]() |
![]() |
|||
VT53N1 |
![]() |
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|