IRLR024NTR
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | FAIR |
|
|
||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) |
|
56.84 | |||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 172 |
|
||
 |
|
IRFZ24NS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFZ24NS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
128.00 | ||
| VN920SP-E | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| VN920SP-E |
|
520.00 | ||||||
| VN920SP-E | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| VND810-E | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| VND810-E |
|
400.00 | ||||||
| VND810-E | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | PERKIN |
|
|
|||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло |
|
533.44 | ||||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | EXCELITAS |
|
|
|||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | КИТАЙ |
|
|
