IRFZ24NS
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFZ24NS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | FAIR |
|
|
||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) |
|
56.84 | |||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
74HC266M |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 172 |
|
||
| IRLR024NTR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLR024NTR | INFINEON |
|
|
|||||
| VN920SP-E | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| VN920SP-E |
|
520.00 | ||||||
| VN920SP-E | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| VND810-E | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| VND810-E |
|
400.00 | ||||||
| VND810-E | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | PERKIN |
|
|
|||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло |
|
533.44 | ||||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | EXCELITAS |
|
|
|||
| VT53N1 |
|
Нелинейный фотоРезистор 32k/1M стекло | КИТАЙ |
|
|
