|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | CoolMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Power - Max | 208W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
|
SPP20N60C3 (Мощные полевые МОП транзисторы) Cool MOSTM Power Transistor
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220) | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220) | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220) | 2 | 260.40 | ||
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220) | UTC |
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220) | SPTECH | 372 | 107.07 | |
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | DIODES |
|
|
||
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | 13 511 | 7.44 | |||
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | GOOD ARK |
|
|
||
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | MIC | 17 | 7.90 | ||
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | MIG |
|
|
||
|
|
HER306 |
|
Диод 3А, 600В | 1 |
|
|
||
|
|
|
MAX660EPA |
|
DC/DC, Invert, Ind | MAXIM |
|
|
|
|
|
|
MAX660EPA |
|
DC/DC, Invert, Ind |
|
355.24 | ||
|
|
|
MAX660EPA |
|
DC/DC, Invert, Ind | MAX |
|
|
|
|
|
|
MAX660EPA |
|
DC/DC, Invert, Ind | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
Vishay/Siliconix |
|
|
||
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
VISHAY |
|
|
||
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
272 | 132.27 | |||
| SQP-15W10RJ (15ВТ,10 ,5%) |
|
|