Версия для печати
Технические характеристики L6598

Корпус	16-DIP
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение выходное	600V
Напряжение входное	8 V ~ 16.6 V
Частотный диапозон	61.8 ~ 400kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6598 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) High Voltage Resonant Controller Также в этом файле: L6598D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6598 datasheet 116.11Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MKP1V240G			ON SEMICONDUCTOR
		MKP1V240G			ONS
		MKP1V240G
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	16	52.27
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		6 520	35.09
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623
		STW45NM50FD		N-channel 500v - 0.07? - 45a - to247 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	ST MICROELECTRONICS	17	546.00
		STW45NM50FD		N-channel 500v - 0.07? - 45a - to247 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	STMicroelectronics
		STW45NM50FD		N-channel 500v - 0.07? - 45a - to247 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
		STW45NM50FD		N-channel 500v - 0.07? - 45a - to247 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	КИТАЙ
		STW45NM50FD		N-channel 500v - 0.07? - 45a - to247 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	PWR
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	PI
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания			300.00
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	Power Integrations
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	POWER INTEGRATI
		TOP224PN		Микросхема ШИМ контр. импуль. блока питания	4-7 НЕДЕЛЬ	240
		VIPER53SP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 620V, 2A, 1Om	ST MICROELECTRONICS
		VIPER53SP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 620V, 2A, 1Om			440.00
		VIPER53SP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 620V, 2A, 1Om	STMicroelectronics
		VIPER53SP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 620V, 2A, 1Om	МАРОККО
		VIPER53SP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 620V, 2A, 1Om	ST MICROELECTRO
		VIPER53SP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 620V, 2A, 1Om	4-7 НЕДЕЛЬ	492

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"