|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
335
|
5.52
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
673 112
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
IRF7316 |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
64.26
|
|
|
|
IRF7316 |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)
|
|
|
72.00
|
|
|
|
IRF7316 |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7316 |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7316 |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)
|
TECH PUB
|
3 014
|
18.94
|
|
|
|
LM2734YMK |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2734YMK |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2734YMK |
|
|
|
|
286.56
|
|
|
|
LM2734YMK |
|
|
США
|
|
|
|
|
|
LM2734YMK |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM2734YMK |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2734YMK |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2734YMK |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
219
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
|
|
580.00
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
США
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
AD1
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
OP191GSZ |
|
Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
148
|
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
|
8
|
120.96
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
1
|
|
|
|
|
|
TL061CD |
|
1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
388
|
|
|