Версия для печати
Технические характеристики TL062CDR

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V
Ток выходной	200µA
Напряжение входного смещения	3000µV
Ток - входного смещения	30pA
Полоса пропускания	1MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	3.5 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	J-FET
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

TL062 (Операционные усилители) LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: TL062CDR Производитель: Texas Instruments //www.ti.com TL062CDR datasheet 650.11Kb 31стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP	10 484
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...		335	5.52
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	MULTICOMP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	JSCJ	673 112	1.54  >100 шт.   0.77
		IRF7316		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	64.26
		IRF7316		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)			72.00
		IRF7316		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	ТАИЛАНД
		IRF7316		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	INFINEON
		IRF7316		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)	TECH PUB	3 014	18.94
		LM2734YMK			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2734YMK			NSC
		LM2734YMK					286.56
		LM2734YMK			США
		LM2734YMK			СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM2734YMK			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2734YMK			TEXAS
		LM2734YMK			4-7 НЕДЕЛЬ	219
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C			580.00
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	Analog Devices Inc
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	США
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	AD1
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	ANALOG
		OP191GSZ		Прецизионный микромощный ОУ, Iпот.=15мкА, SOIC8, -40°C - +125°C	4-7 НЕДЕЛЬ	148
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMENTS
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	ST MICROELECTRONICS
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us		8	120.96
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS INSTRUMENTS
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	STMicroelectronics
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	МАЛАЙЗИЯ
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	TEXAS
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	1
		TL061CD		1xOP JFET +-18V LP 3,5V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	388

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"