TL062CDR
2xOP JFET +-18V LP 3,5V/us
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V |
| Ток выходной | 200µA |
| Напряжение входного смещения | 3000µV |
| Ток - входного смещения | 30pA |
| Полоса пропускания | 1MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 3.5 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TL062 (Операционные усилители) LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: TL062CDR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
0805-100K 5% |
|
ЧИП — резистор | 1 976 |
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
 |
|
AD829JR | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
|
|
|
AD829JR |
|
461.20 | ||||
|
|
|
AD829JR | Analog Devices Inc |
|
|
|||
|
|
|
AD829JR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 676 |
|
|||
 |
|
LMH6624MA | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
LMH6624MA |
|
411.68 | ||||
|
|
|
LMH6624MA | NSC |
|
|
|||
|
|
|
LMH6624MA | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
LMH6624MA | 4-7 НЕДЕЛЬ | 332 |
|
|||
 |
M58655P |
|
ИМС 64х16BIT ПЗУ ЭЛ.ПРОГ | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
M58655P |
|
ИМС 64х16BIT ПЗУ ЭЛ.ПРОГ | MITSUBISHI |
|
|
||
|
|
M58655P |
|
ИМС 64х16BIT ПЗУ ЭЛ.ПРОГ | MIT |
|
|
||
|
|
M58655P |
|
ИМС 64х16BIT ПЗУ ЭЛ.ПРОГ |
|
121.80 | |||
|
|
M58655P |
|
ИМС 64х16BIT ПЗУ ЭЛ.ПРОГ | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
M58655P |
|
ИМС 64х16BIT ПЗУ ЭЛ.ПРОГ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 704 |
|
||
| КР159НТ1Е | 125 | 37.48 | ||||||
| КР159НТ1Е | ТОНДИ | 800 | 38 719.68 | |||||
| КР159НТ1Е | 635 |
|
|
|||||
| КР159НТ1Е | 71 |
|
|
|||||
| КР159НТ1Е | 828 |
|
|
