|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
12 820
|
2.11
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
204
|
1.48
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 327
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
636 766
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
710 523
|
1.21
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
58 746
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.02
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
184 800
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
TSC
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
|
19 600
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
DIOTEC
|
8 668
|
2.09
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
37 063
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
5 142
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
YJ
|
75 895
|
1.22
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
HOTTECH
|
2 400
|
1.03
|
|
|
|
CC0603KRX5R5BB106 |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 6.3 В, 10%
|
YAGEO
|
32 200
|
1.52
|
|
|
|
CC0603KRX5R5BB106 |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 6.3 В, 10%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX5R5BB106 |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 6.3 В, 10%
|
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX5R5BB106 |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 6.3 В, 10%
|
YAGEO
|
2 369
|
|
|
|
|
MF-MSMF075/24-2 |
|
|
BOURNS
|
21 339
|
5.15
|
|
|
|
MF-MSMF075/24-2 |
|
|
|
|
91.20
|
|
|
|
MF-MSMF075/24-2 |
|
|
BOURNS
|
100
|
|
|
|
|
MF-MSMF075/24-2 |
|
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
Ш4. (ЧЁРНЫЙ) |
|
|
|
|
|
|