MMDF1N05E

Версия для печати

Технические характеристики MMDF1N05E

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMDF1N05E (MOSFET)

Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N?Channel SO?8, Dual

Производитель:
ON Semiconductor

MMDF1N05E datasheet
75.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IR2130	3ф драйвер 600В 0.2А DIP28	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	753.47
IR2130	3ф драйвер 600В 0.2А DIP28			747.44
IR2130	3ф драйвер 600В 0.2А DIP28	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
IR2130	3ф драйвер 600В 0.2А DIP28	ТАИЛАНД
IR2130	3ф драйвер 600В 0.2А DIP28	INFINEON
IR2130	3ф драйвер 600В 0.2А DIP28	4-7 НЕДЕЛЬ	84
IR2130	3ф драйвер 600В 0.2А DIP28	43
LM3046M		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM3046M		NSC
LM3046M				6.16
LM3046M		КИТАЙ
LM3046M		4-7 НЕДЕЛЬ	636
LP2951CN-3.3	Регулируемый стабилизатор напряжения ``low drop`` СН (Vout=3/3,3V, tol=2%, I=0.1A, ...	ON SEMICONDUCTOR
LP2951CN-3.3	Регулируемый стабилизатор напряжения ``low drop`` СН (Vout=3/3,3V, tol=2%, I=0.1A, ...	ON SEMICONDUCTOR
TLV2461IDBVR		TEXAS INSTRUMENTS
TLV2461IDBVR		TEXAS INSTRUMENTS
TLV2461IDBVR				358.80
TLV2461IDBVR		4-7 НЕДЕЛЬ	251
ULN2803LW				208.00
ULN2803LW		ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
ULN2803LW		4-7 НЕДЕЛЬ	119