MMDF1N05E
Power mosfet 1 amp, 50 volts n?channel so?8, dual
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MMDF1N05E (MOSFET) Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N?Channel SO?8, Dual
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA |
|
35.68 | ||||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR | 120 |
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONS | 7 | 16.88 | |||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONSEMI |
|
|
|||
| EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 184 |
|
|||||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В |
|
210.28 | |||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | ANALOG DEVICES | 2 |
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | Analog Devices Inc |
|
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 538 |
|
||
| TLV2548IDW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW |
|
1 655.48 | ||||||
| TLV2548IDW | TEXAS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW | 4-7 НЕДЕЛЬ | 489 |
|
