Версия для печати
Технические характеристики EGL41B

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 100V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-213AB, Melf
Корпус	DO-213AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DS3695ATM/NOPB			NATIONAL SEMICONDUCTOR	18	169.01
		DS3695ATM/NOPB			0.00
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	RAMTRON
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	RAM
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free			2 160.00
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	ТАИЛАНД
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	CYPR
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	CYP
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	4-7 НЕДЕЛЬ	132
		KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM			GEYER ELECTRONIC
		KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM			GEYER
		KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM					517.60
		TLV2461IDBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV2461IDBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV2461IDBVR					358.80
		TLV2461IDBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	251
		ULN2803LW					208.00
		ULN2803LW			ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
		ULN2803LW			4-7 НЕДЕЛЬ	119

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"