EGL41D
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-213AB, Melf |
| Корпус | DO-213AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 184 |
|
|||||
 |
 |
IRL3714ZS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRL3714ZS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
218.80 | ||
 |
|
MMDF1N05E |
|
Power mosfet 1 amp, 50 volts n?channel so?8, dual | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
| TLV2548IDW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW |
|
1 655.48 | ||||||
| TLV2548IDW | TEXAS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW | 4-7 НЕДЕЛЬ | 489 |
|
|||||
| VS-30BQ015TR | VISHAY |
|
|
|||||
| VS-30BQ015TR |
|
101.32 |
