| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
63.24
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
|
248
|
44.64
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
К50-35-16-220 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В
|
|
|
5.76
|
|
|
|
|
К50-35-25-4700 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В
|
|
|
74.88
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
|
32.00
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
578.59
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
800
|
289.30
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
|
749
|
15.12
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
421
|
3.58
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
МИНСК
|
320
|
8.95
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
404
|
14.05
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ДАЛЕКС
|
88
|
12.40
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
672
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
94
|
|
|
|
Версия для печати
