|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | CoolMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 177nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2320pF @ 25V |
| Power - Max | 208W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
1N5408-E3/54 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
1N5408-E3/54 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C) | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|
|
|
JNR08S200L |
|
Нелинейный терморезистор | JOYIN |
|
|
||
|
|
JNR08S200L |
|
Нелинейный терморезистор |
|
7.36 | |||
|
|
JNR08S200L |
|
Нелинейный терморезистор | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
JNR08S200L |
|
Нелинейный терморезистор | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
JNR15S100L |
|
Нелинейный терморезистор | JOYIN |
|
|
||
|
|
JNR15S100L |
|
Нелинейный терморезистор |
|
18.32 | |||
|
|
JNR15S100L |
|
Нелинейный терморезистор | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
| MC33152DG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33152DG | 16 | 116.55 | ||||||
| MC33152DG | ONS |
|
|
|||||
| MC33152DG | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|||||
| MC33152DG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33152DG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 76 |
|
|||||
| SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | INFINEON |
|
|
|||
| SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | Infineon Technologies |
|
|
|||
| SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | 120 |
|
||||
| SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | 120 |
|