JNR15S100L
Нелинейный терморезистор
|
|
Версия для печати
| Тип | JNR |
| Область применения | Ограничение пусковых токов |
| Конструктивное исполнение | Диск |
| Сопротивление при 25 грд.С, Ом | 10 |
| Точность, % | 15 |
| Максимальный рабочий ток, А | 5 |
| Диаметр корпуса, мм | 15 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1099-WN0 | CONNFLY | 10 964 | 15.44 | |||||
| DS1099-WN0 |
|
|
||||||
 |
 |
HFA08TB60 |
|
Диод HEXFRED 600В 5A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
HFA08TB60 |
|
Диод HEXFRED 600В 5A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
HFA08TB60 |
|
Диод HEXFRED 600В 5A |
|
103.88 | ||
|
|
|
HFA08TB60 |
|
Диод HEXFRED 600В 5A | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
|
|
|
HFA08TB60 |
|
Диод HEXFRED 600В 5A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
HFA08TB60 |
|
Диод HEXFRED 600В 5A | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
HFA08TB60 |
|
Диод HEXFRED 600В 5A | INFINEON |
|
|
|
 |
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц |
|
1 133.24 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 16 | 1 200.48 | |
| RX27-1 220 ОМ 25W 5% / SQP25 |
|
|
||||||
| ФЛЮС-ПАСТА ВТС, 20 Г. | 3 | 84.00 |
