L6561D
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Mode | Discontinuous (Transition) |
| Current - Startup | 50µA |
| Напряжение питания | 11 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -25°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 10 ОМ 5% | HKR |
|
|
|||||
| 1206 10 ОМ 5% |
|
|
||||||
| 1206 10 ОМ 5% | FAT |
|
|
|||||
| 2SA733 (2PA733P/KTA733P) |
|
|
||||||
| 2SA733 (2PA733P/KTA733P) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
 |
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJITSU |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W |
|
168.00 | |||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJ |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJI |
|
|
||
 |
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 37 | 653.40 | |
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... |
|
491.08 | ||
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
| MBR10200CT | GALAXY |
|
|
|||||
| MBR10200CT | 7 600 | 16.08 | ||||||
| MBR10200CT | GALAXY ME |
|
|
